飞思卡尔
规格（T
A
= 25
o
C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏电流
V
GS （ TH）
I
GSS
VGS = VDS ，ID = 250微安
VGS = VDS ， ID = -250微安
VDS = 0 V ， VGS = 20 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= -20 V
VDS = 24 V ， VGS = 0 V
VDS = 24 V ， VGS = 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
VGS = 10V ， ID = 3.7
VGS = -10 V ， ID = 3.1
VGS = 4.5 V ， ID = 2.7
VGS = -4.5 V， ID = -2.2一
V
DS
= 5 V，I
D
= 3.7 A
V
DS
= -5 V，I
D
= 3.1 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
o
o
AO6601 / MC6601
符号
测试条件
Ch
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
5
-5
0.057
0.100
0.075
0.148
10
5
0.80
-0.83
2.2
3.8
0.5
0.6
0.8
1.5
184
378
62
126
30
52
5
5
12
15
13
20
7
20
5
8
1
2
2
3
400
800
200
300
200
300
10
10
30
30
30
40
20
40
0.063
0.112
0.090
0.172
范围
民
典型值
1
-1
1.6
-1.6
4.5nA
-4.5nA
12nA
-12nA
最大
2.5
-2.5
100
-100
1
-1
10
-10
单位
V
uA
uA
uA
A
零栅极电压漏极电流
I
DSS
通态漏电流
A
I
D（上）
漏源导通电阻
A
r
DS （ ON）
Ω
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
A
g
fs
V
SD
S
S
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.7A
P沟道
VDS = -15V ， VGS = -4.5V ， ID = -3.1A
nC
N沟道V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
P沟道VDS = -15V ， VGS = 0V ，
f=1MHz
pF
N-二Chaneel
V
DD
= 15V ，V GS = 4.5V ，ID = 1A ，
R
根
=15Ω,
P沟道
VDD = -15V ， VGS = -4.5V ， ID = -1A
RGEN=15Ω
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
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损害赔偿。可在飞思卡尔的数据片S提供“典型”参数和/或规格可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
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2
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