AO6422
20V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
= 10V
I
D
= 5A
4
电容(pF)
V
GS
(伏)
600
C
国际空间站
400
800
3
2
1
200
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
R
DS ( ON)
有限
10µs
1000
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
1
1ms
10ms
100mss
10s
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
功率(W)的
100
I
D
(安培)
100µs
100
10
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
I
F
= -6.5A ,的di / dt = 100A / μs的
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值Junction-
到环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
0.001
100
1000
T
on
T
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