AO6422
20V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250µA
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 3.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.0A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
0.4
30
35
48
43
55
14
0.8
1
2
450
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
74
52
4.9
6.2
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
= 5A
0.4
1.3
4.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=2Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
6
33
7.1
13
3.3
17
7.5
8.2
560
44
60
55
72
0.65
民
20
1
5
±100
1
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2012年2月
2/4
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