AO5804E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO5804E
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 508 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AO5804E

双N沟道增强型场

场效应晶体管

典型的电气和热特性

4.5V

3.5V

(A)

2.5V

1.5

25°C

125°C

=5V

Vgs=1.5V

0.5

（伏）

图1 ：在区域特征

1.8

0.8

归一化的导通电阻

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.2

0.4

0.6

0.8

100

125

150

175

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结

温度

=2.5V

ID=0.5A

=1.8V

ID=-0.3A

0.7

DS （ ON）

(

Ω

)

0.6

=2.5V

0.5

0.4

0.3

0.2

=4.5V

=1.8V

=4.5V

ID=0.5A

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

（伏）

图2 ：传输特性

=0.5A

0.8

125°C

DS （ ON）

(

Ω

)

(A)

0.6

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

25°C

0.5

0.45

0.28

125°C

0.18

25°C

0.4

0.2

1.0E-05

1.0E-06

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

（伏）

图6 ：体二极管的性能

3/5

www.freescale.net.cn

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案