AO5804E
双N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5A
I
S
=0.1A,V
GS
=0V
0.45
3
0.4
0.6
0.48
0.6
1.5
0.65
1
0.4
35
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
8
6
0.63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.5A
0.08
0.16
4.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=50Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.3
78
32
8
2
10
1
45
0.55
0.85
0.68
0.8
0.6
民
20
1
5
±1
±100
1
典型值
最大
单位
V
µΑ
µA
µA
V
A
Ω
Ω
Ω
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。额定电流是基于t ≤ 10秒热阻率。
0.5
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
0.45
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
C.第r
θJA
图D.静态特性1〜 6,12,14使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
0.28
提供了单一的脉冲等级。
0.18
F.最大电流等级债券的电线被限制
REV3 ： 2008年8月
2/5
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
