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型号: AO5803E
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 430 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO5803E
双P沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
5
-6V
4
-3.5V
-I
D
(A)
-4.5V
-4V
2
-10V
3
V
DS
=-5V
-40°C
25°C
-I
D
(A)
3
2
-3V
-2.5V
125°C
1
1
V
GS
=-2.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1.3
V
GS
=-1.8V
归一化的导通电阻
1.2
1.1
R
DS ( ON)
(
)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-2.5V
1.60E+00
1.40E+00
1.20E+00
1.00E+00
8.00E-01
6.00E-01
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=-2.5V
ID=-0.5A
V
GS
=-1.8V
ID=-0.4A
V
GS
=-4.5V
ID=-0.6A
0
0
1
2
3
4
5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1.2
1.1
1
R
DS ( ON)
(
)
-I
S
(A)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
I
D
=-0.6A
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
-40°C
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.4
0.8
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
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