AO5803E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO5803E
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内容描述：	双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 430 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AO5803E

双P沟道增强型场

场效应晶体管

概述

该AO5803E / L采用了先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，在小SC89-6L足迹。它可被用作负载

切换，并且各种各样的场效应管的应用。 AO5803E和AO5803EL是电相同。

-RoHS标准

-AO5803EL是无卤

特点

(V) = -20V

= -0.6A （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 0.8Ω （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 1.0Ω （V

= -2.5V)

DS （ ON）

< 1.25Ω （V

= -1.8V)

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

A，F

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±8

-0.6

-0.4

-3

0.4

0.24

-55到150

单位

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

275

360

300

最大

330

450

350

单位

C / W

1/5

www.freescale.net.cn

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