AO4914 ， AO4914L
Q1电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管+肖特基正向电压
最大体二极管+肖特基连续电流
T
J
=125°C
1
30
15.5
22.3
23
23
0.45
0.5
3.5
971
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
190
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
4.4
17.3
3.3
18.8
9.2
7.5
6.5
26
5
23
11
0.85
23
11.2
1165
18
27
28
1.8
民
30
0.007
3.2
12
0.05
10
20
100
3
mA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任何一个给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线提供了一个单一的
脉冲的评级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净正向压降，电容和
MOSFET和肖特基的恢复特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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