AO4912 ， AO4912L
参数：热特性MOSFET Q1
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结对铅
C
参数：热特性MOSFET Q2
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
C
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
符号
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
单位
° C / W
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
47.5
71
32
62.5
110
40
° C / W
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净向前
MOSFET和肖特基的压降，电容和恢复特性。然而，热敏电阻被指定为每个芯片
分开。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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