AO4852
60V双N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
SM
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
二极管的正向电压
脉冲体二极管电流
B
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
T
J
=125°
C
V
DS
= 5V ，我
D
=3A
I
S
=1A,V
GS
=0V
民
60
典型值
最大
单位
V
1
5
100
1.7
20
79
146
86
15
0.8
1
20
2.5
372
450
90
159
105
2.3
2.6
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
31
17
1.7
7.1
2.6
9.2
Ω
nC
nC
nC
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 3A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3A ，的di / dt = 100A / μs的
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=10Ω,
R
根
=3Ω
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=3A
3.6
1
2
4.1
2.1
15
2.1
23.4
23.2
29
5.3
ns
ns
ns
ns
ns
nC
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用< 300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 ： 2010年11月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
2/4
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