AO4852 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4852
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内容描述：	60V双N沟道MOSFET [60V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 408 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AO4852

60V双N沟道MOSFET

概述

该AO4852采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。作为一对

这些MOSFET中的推拉式和桥式拓扑结构非常有效地运作。

特点

(V) = 60V

= 10V)

= 3.5A

DS （ ON）

<90mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

<105mΩ （V

= 4.5V)

SOIC-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

雪崩电流

重复雪崩能量0.3mH

符号

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

最大

10秒

稳定状态

±20

3.5

2.8

1.3

9.6

-55到150

1.4

0.9

2.4

单位

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

≤

10s

最大结点到环境

稳态

最大结对铅

稳态

符号

θJA

θJL

典型值

最大

62.5

单位

C / W

1/4

www.freescale.net.cn

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