AO4817
双路25V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
电容（pF）
2500
8
-V
GS
（伏）
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
-I
D
（安培）
10.0
100µs
1ms
10ms
0.1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
1s
10s
DC
功率（W）的
10µs
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
P
D
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.1
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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