AO4817
双路25V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
30
-10V
-6V
20
-I
D
(A)
15
-4.5V
10
V
GS
=-4V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
20
V
GS
=-10V
19
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
18
17
16
15
14
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
1.4
V
GS
=-20V
ID=-8A
V
GS
=-10V
ID=-8A
1.6
5
25°C
-I
D
(A)
125°C
-5V
20
25
V
DS
=-5V
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1.2
V
GS
=-20V
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
60
I
D
=-8A
50
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1.0E-03
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
30
性能和可靠性,恕不另行通知。 125°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
25°C
10
0
5
10
15
20
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
3/4
-I
S
(A)
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-02
40
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
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