AO4613
双路30V P + N沟道MOSFET
P沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-6.1A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-6.1A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1
30
28
39
45
12.5
-0.77
-1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
179
134
5
16.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-6.1A
8.7
3.4
5
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=2.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -6.1A ，的di / dt = 100A / μs的
5.7
22.7
10.2
21.7
13.6
12
11
30
20
27
18
10
22
12
1250
37
48
60
-1.7
民
-30
-1
-5
10
-3
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -6.1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
θJA
A
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
t
≤
10S热
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于10秒的热阻
投资评级。
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。 ř
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
从结热阻使用80获得排放到6,12,14
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
图D.静态特性1领先。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲，铜，在静止空气环境和T = 25°的
C.
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2oz.duty周期的0.5 ％以下。
E.这些测试performedpulsethe设备安装1
SOA曲线提供了评价单。
曲线提供了单个脉冲的评价。
2
A
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
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