AO4613
双路30V P + N沟道MOSFET
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7.2A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=7.2A
I
S
=1A
10
T
J
=125°
C
1
20
20
29
30
18
0.77
1
3
522
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
75
2.1
11
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=7.2A
5.3
1.9
4
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.1Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 7.2A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
10
2
3
24
35
40
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
630
3
15
7
Ω
nC
nC
nC
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7.2A ，的di / dt = 100A / μs的
7
10
22
7
20
10
ns
ns
ns
ns
ns
nC
4.9
16.2
3.5
15.7
7.9
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的值
C.
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。 ř
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
热阻结到漏极引线。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
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