AO4496
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
= 15V
I
D
= 10A
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
600
C
国际空间站
800
6
400
4
2
200
C
RSS
C
OSS
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000
10µs
10
I
D
（安培）
100µs
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
100mss
10s
功率（W）的
100
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
DC
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
100
V
DS
（伏）
1
0.0001
1
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
0.01
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
P
D
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
0.001
100
1000
4/5
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