AO4496
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250µA
V
GS
= 10V, V
DS
= 5V
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
= 10A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
T
J
=125°C
1.4
50
16
24
21
30
0.76
1
3
550
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3
110
55
4
9.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=10A
4.6
1.8
2.2
5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
= 1.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
3.2
24
6
22
14
29
4.9
13
6.1
715
19.5
29
26
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
mΩ
1.8
民
30
1
5
±100
2.5
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
0
G. ê
AR
我
AR
评级是基于低频和占空比，以保持牛逼
j
=25C.
Rev5 ： 2010年11月
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