AO4485
40V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
= 15V
I
D
= -10A
8
电容（pF）
-V
GS
（伏）
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
10
20
30
40
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
6
4
2
1000
100
10µs
-I
D
（安培）
10
1
0.1
0.01
0.1
1
100µs
1ms
10ms
100ms
10s
DC
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
100
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
-V
DS
（伏）
1
0.0001
0.01
1
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
4/4
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
