AO4485
40V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
120
-4.5V
100
80
I
D
(A)
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
20
V
GS
= -4.5V
归一化的导通电阻
1.8
V
GS
= -10V
I
D
= -10A
V
GS
= -4.5V
I
D
= -7.5A
-3.5V
-10V
-4V
I
D
(A)
80
100
V
DS
= -5V
60
40
125°C
20
V
GS
= -3V
0
1.5
2
2.5
3
25°C
3.5
4
4.5
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
18
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.6
16
1.4
14
V
GS
= -10V
1.2
12
1.0
10
0
4
8
0.8
I
F
=-6.5A,
16
dI/dt=100A/µs
12
20
0
25
50
75
100
125
150
175
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
35
I
D
= -10A
1E+02
1E+01
30
1E+00
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
-I
S
(A)
25
125°C
1E-01
125°C
1E-02
20
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-03
25°C
25°C
的15
此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，
1E-04
性能和可靠性，恕不另行通知。
10
2
4
6
8
10
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3/4
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
