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AO3460 参数 Datasheet PDF下载

AO3460图片预览
型号: AO3460
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内容描述: 60V N沟道MOSFET [60V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 361 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO3460
60V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=0.65A
电容(pF)
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
国际空间站
8
V
GS
(伏)
6
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
4
C
OSS
C
RSS
2
0
10.000
20
1.000
10µs
100µs
R
DS ( ON)
有限
DC
功率(W)的
16
12
8
4
0
0.0001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
0.100
0.010
T
J(下最大)
=150°
C
T
C
=25°
C
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
on
T
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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