AO3460
60V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=0.65A
I
S
=0.1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=0.65A
C
T
J
=125°
1
1.6
1.4
2.5
1.6
0.8
0.8
1
1.2
22
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
6
2
5.3
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=75Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 0.65A ，的di / dt = 100A / μs的，V
GS
=-9V
2.8
19.7
5.5
11.3
7.5
14
27
1.7
3
2
2.2
民
60
1
5
±10
2.5
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
A
Ω
Ω
S
V
A
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 0.65A ，的di / dt = 100A / μs的，V
GS
=-9V
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
第2版： 2010年11月
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