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IRFR3709Z 参数 Datasheet PDF下载

IRFR3709Z图片预览
型号: IRFR3709Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 489 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U3709Z
100
Limited By Package
80
ID, Drain Current (A)
2.5
VGS(th) Gate threshold Voltage (V)
90
2.0
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature (°C)
1.5
ID = 250µA
1.0
0.5
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
T J , Temperature ( °C )
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
10
Thermal Response ( Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
Ri (°C/W)
τi
(sec)
0.810
0.000260
0.640
0.451
0.001697
0.021259
τ
1
τ
2
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Ci=
τi/Ri
Ci=
τi/Ri
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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