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IRFR3709Z 参数 Datasheet PDF下载

IRFR3709Z图片预览
型号: IRFR3709Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 489 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U3709Z
10000
TOP
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
10000
TOP
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
ID, Drain-to-Source Current (A)
ID, Drain-to-Source Current (A)
1000
1000
100
BOTTOM
100
BOTTOM
10
10
1
2.25V
1
2.25V
0.1
20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20µs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1000
2.0
RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
ID, Drain-to-Source Current
(Α)
ID = 30A
VGS = 10V
100
1.5
10
T J = 175°C
1.0
1
T J = 25°C
VDS = 15V
20µs PULSE WIDTH
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
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