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IRFB4310 参数 Datasheet PDF下载

IRFB4310图片预览
型号: IRFB4310
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内容描述: HEXFET ?功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 740 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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IRF/B/S/SL4310  
1000.0  
100.0  
10.0  
1.0  
10000  
1000  
100  
10  
OPERATION IN THIS AREA  
LIMITED BY R  
(on)  
DS  
T
= 175°C  
J
100µsec  
T
= 25°C  
J
1
1msec  
Tc = 25°C  
Tj = 175°C  
Single Pulse  
10msec  
DC  
V
= 0V  
GS  
0.1  
0.1  
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0  
, Source-to-Drain Voltage (V)  
1
10  
100  
1000  
V
V
DS  
, Drain-toSource Voltage (V)  
SD  
Fig 8. Maximum Safe Operating Area  
Fig 7. Typical Source-Drain Diode  
Forward Voltage  
140  
120  
100  
80  
120  
115  
110  
105  
100  
LIMITED BY PACKAGE  
60  
40  
20  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180  
T
, Case Temperature (°C)  
C
T
, Junction Temperature (°C)  
J
Fig 9. Maximum Drain Current vs.  
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Case Temperature  
2400  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
I
D
TOP  
12A  
17A  
75A  
2000  
1600  
1200  
800  
400  
0
BOTTOM  
0
20  
V
40  
60  
80  
100  
120  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
Drain-to-Source Voltage (V)  
Starting T , Junction Temperature (°C)  
DS,  
J
Fig 11. Typical COSS Stored Energy  
Fig 12. Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent  
4 / 11  
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