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    2SB766 参数 Datasheet PDF下载

    2SB766图片预览
    型号： 2SB766
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 95 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB766的Datasheet PDF文件第1页  
    2SB766
    公司Bauelemente
    PNP硅
    中功率晶体管
    P
    C
    ⎯
    T
    a
    1.4
    −1.50
    I
    C
    ⎯
    V
    CE
    T
    a
    =
    25°C
    I
    B
    = −10
    mA
    −9
    mA
    −8
    mA
    −7
    mA
    −6
    mA
    −5
    mA
    −4
    mA
    −3
    mA
    −2
    mA
    −1
    mA
    V
    CE （ SAT ）
    ⎯
    I
    C
    集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    (V)
    −100
    I
    C
    / I
    B
    =
    10
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    铜板在集
    是超过1厘米
    2
    在区域，
    1.7毫米在厚度
    −1.25
    集电极电流I
    C
    (A)
    −10
    −1.00
    −
    0.75
    −1
    T
    a
    =
    75°C
    25°C
    −25°C
    −
    0.50
    −
    0.1
    −
    0.25
    0
    20
    40
    60
    80 100 120 140 160
    0
    0
    −2
    −4
    −6
    −8
    −10
    −
    0.01
    −
    0.01
    −
    0.1
    −1
    −10
    环境温度T
    a
    (
    °C
    )
    集电极 - 发射极电压V
    CE
    (V)
    集电极电流I
    C
    (A)
    V
    BE （ SAT ）
    ⎯
    I
    C
    −100
    h
    FE
    ⎯
    I
    C
    600
    V
    CE
    = −10
    V
    200
    V
    CB
    = −10
    V
    T
    a
    =
    25°C
    f
    T
    ⎯
    I
    E
    基射极饱和电压V
    BE （ SAT ）
    (V)
    I
    C
    / I
    B
    =
    10
    正向电流传输比H
    FE
    过渡频率f
    T
    （兆赫）
    −1
    −10
    500
    −10
    160
    400
    T
    a
    =
    75°C
    300
    25°C
    200
    −25°C
    25°C
    −1
    120
    T
    a
    = −25°C
    75°C
    80
    −
    0.1
    100
    40
    −
    0.01
    −
    0.01
    −
    0.1
    −1
    −10
    0
    −
    0.01
    −
    0.1
    0
    1
    10
    100
    集电极电流I
    C
    (A)
    集电极电流I
    C
    (A)
    发射极电流I
    E
    （MA ）
    C
    ob
    ⎯
    V
    CB
    集电极输出电容
    C（ pF）的
    （共同的基础，输入开路）
    ob
    50
    I
    E
    =
    0
    f
    =
    1兆赫
    T
    a
    =
    25°C
    −10
    安全工作区
    单脉冲
    T
    a
    =
    25°C
    I
    CP
    40
    集电极电流I
    C
    (A)
    −1
    I
    C
    t
    =
    1s
    t
    =
    10毫秒
    30
    −
    0.1
    20
    −
    0.01
    10
    0
    −1
    −10
    −100
    −
    0.001
    −
    0.01
    −
    0.1
    −1
    −10
    集电极 - 基极电压V
    CB
    (V)
    集电极 - 发射极电压V
    CE
    (V)
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
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