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    2SB766 参数 Datasheet PDF下载

    2SB766图片预览
    型号： 2SB766
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 95 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB766的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB766
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    D
    D1
    A
    PNP硅
    中功率晶体管
    SOT-89
    E1
    特点
    功耗
    P
    CM
    ： 500mW的环境温度Tamb = 25
    1.BASE
    集电极电流
    2.COLLECTOR
    A
    I
    CM
    : -1
    3.EMITTER
    集电极 - 基极电压
    V
    V
    B（ BR ） CBO
    : -30
    工作和存储结温范围
    T
    J
    T
    英镑
    ： -55至+150
    b1
    b
    L
    E
    e
    e1
    C
    单位：毫米
    符号
    A
    b
    b1
    c
    D
    D1
    E
    E1
    e
    e1
    L
    2.900
    0.900
    民
    1.400
    0.320
    0.360
    0.350
    4.400
    1.400
    2.300
    3.940
    1.500TYP
    3.100
    1.100
    最大
    1.600
    0.520
    0.560
    0.440
    4.600
    1.800
    2.600
    4.250
    民
    尺寸以英寸
    最大
    0.063
    0.020
    0.022
    0.017
    0.181
    0.071
    0.102
    0.167
    0.060TYP
    0.114
    0.035
    0.122
    0.043
    0.055
    0.013
    0.014
    0.014
    0.173
    0.055
    0.091
    0.155
    电气特性
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    Tamb=25
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    unlessotherwise
    TEST
    条件
    特定网络版
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    IC 。
    -10
    A，I
    E
    =0
    IC 。
    -2
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    -10
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    =
    -20
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    -4
    V，I
    C
    =0
    V
    CE
    =
    -10
    V，I
    C
    =
    -500
    mA
    V
    CE
    =
    -5
    V，I
    C
    =
    -1
    A
    I
    C
    =
    -500
    妈，我
    B
    =
    -50
    mA
    I
    C
    =
    -500
    妈，我
    B
    =
    -50
    mA
    V
    CE
    =
    -10
    V，I
    C
    =
    -50
    毫安， F = 200MHz的
    V
    CB
    =
    -10
    V，I
    E
    =0, f=
    1
    兆赫
    -30
    -25
    -5
    -0.1
    -0.1
    85
    50
    -0.2
    -0.85
    A
    A
    340
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    -0.4
    -1.2
    V
    V
    兆赫
    f
    T
    C
    ob
    200
    20
    30
    pF
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    记号
    Q
    85-170
    AQ
    R
    120-240
    AR
    S
    170-340
    AS
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
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