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    2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002K图片预览
    型号： 2N7002K
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    内容描述： N沟道小信号MOSFET与ESD保护 [N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 4 页 / 527 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2N7002K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002K的Datasheet PDF文件第4页  
    2N7002K
    公司Bauelemente
    0.3A ， 60V ，R
    DS （ ON）
    4
    N沟道小信号MOSFET与ESD保护
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流
    正向跨导
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    I
    DSS
    I
    GSS
    g
    fs
    分钟。
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    2.5
    4
    3
    1
    ±10
    -
    单位
    V
    V
    Ω
    μA
    μA
    mS
    测试条件
    V
    GS
    =0, I
    D
    =10μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =250μA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =200mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =500mA
    V
    DS
    =60V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    = 0, V
    GS
    = ±20V
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 250毫安
    STATIC
    60
    1
    -
    -
    -
    -
    100
    动态
    总栅极电荷
    开启时间
    打开-O FF时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    Q
    g
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.8
    20
    nS
    40
    35
    10
    5
    pF
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0中，f = 1MHz的
    nC
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    = 5V ，我
    D
    =200mA
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    =150Ω,
    I
    D
    =的200mA， V
    根
    =10V,
    R
    G
    =10Ω　
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压
    连续二极管的正向电流
    脉冲二极管正向电流
    V
    SD
    I
    S
    I
    SM
    -
    -
    -
    0.82
    -
    -
    1.3
    300
    2000
    V
    mA
    mA
    I
    S
    =的200mA， V
    GS
    =0
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    30 -MAR - 2011版本A
    第2页4

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