2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002K
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内容描述：	N沟道小信号MOSFET与ESD保护 [N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 527 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2N7002K

公司Bauelemente

0.3A ， 60V ，R

DS （ ON）



N沟道小信号MOSFET与ESD保护

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

特点



DS （ ON）

, V

@ 10V ，我

@500mA=3



DS （ ON）

, V

@ 4.5V ，我

@200mA=4



先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

非常低的漏电流在关闭状态

专为电池供电系统，

固态继电器驱动器：继电器，显示器，灯具，

螺线管，存储器等

ESD保护2KV HBM

符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令

案例： SOT- 23封装

码头：每MIL -STD- 750焊接的，

方法2026

约。重量： 0.008克

SOT-23

顶视图

C B

机械数据



REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

2.80

3.04

2.10

2.55

1.20

1.40

0.89

1.15

1.78

2.04

0.30

0.50

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.09

0.18

0.45

0.60

0.08

0.177

0.6 REF 。

0.89

1.02



记号

K72

漏



包装信息

包

SOT-23

MPQ

负责人尺寸

7'寸



门



来源

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

=25°C

=75°C

符号



, T

英镑

等级

±20

300

2000

0.35

0.21

357

-55 ~ +150

单位

° C / W

°C

热阻结到环境（PCB安装）

工作结温和存储温度

注意事项：

1.最大直流电流受限于封装。

2.表面安装在FR4板，T < 5秒。

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

30 -MAR - 2011版本A

第1页4

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