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    2N7000 参数 Datasheet PDF下载

    2N7000图片预览
    型号： 2N7000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强模式电源Mos.FET [N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 3 页 / 358 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7000的Datasheet PDF文件第3页  
    2N7000
    200mA,60V,R
    DS （ ON）
    6
    Ω
    公司Bauelemente
    N沟道增强模式电源Mos.FET
    电气特性（ TJ = 25℃除非另有说明）
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏电流
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    静态漏源导通电阻
    o
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    ð S（O N）
    分钟。
    60
    0.8
    _
    _
    典型值。
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    _
    马克斯。
    _
    单位
    V
    V
    nA
    uA
    mA
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    V
    DS
    =V
    GS ，
    I
    D
    =1.0mA
    V
    GS
    =
    ±
    15V,V
    DS
    =0
    V
    DS
    =48V,V
    GS
    =0
    V
    DS
    =10V ,V
    GS
    =4.5V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =500mA
    3.0
    ±
    10
    1
    _
    75
    _
    _
    _
    5
    Ω
    6
    2.5
    V
    V
    GS
    =4.5V,I
    D
    =75mA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =500mA
    V
    GS
    =4.5V,I
    D
    =75mA
    V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =25V
    f=1.0MHz
    漏源电压
    V
    ð S（O N）
    _
    _
    _
    _
    0.45
    60
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    正向跨导
    西塞
    科斯
    CRSS
    政府飞行服务队
    1
    25
    5
    _
    pF
    100
    _
    mS
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =200mA
    开关特性
    参数
    导通延迟时间
    打开-O FF延迟时间
    符号
    T
    ON
    T
    关闭
    分钟。
    _
    _
    典型值。
    _
    _
    马克斯。
    10
    10
    单位
    nS
    测试条件
    V
    DD
    =15V,I
    D
    =500mA
    R
    G
    =25
    Ω
    R
    L
    =30
    Ω
    V
    根
    =10V
    注意事项： 1，脉冲宽度
    ≦
    300US ，占空比
    ≦
    2%.
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第2页
    3

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