2N7000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7000
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内容描述：	N沟道增强模式电源Mos.FET [N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	3 页 / 358 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2N7000

200mA,60V,R

DS （ ON）

公司Bauelemente

N沟道增强模式电源Mos.FET

符合RoHS产品

描述

该2N7000是专为高电压，高

高速应用，如开关稳压器，

器，电磁阀和继电器驱动器。

座位

飞机

TO-92

漏

REF 。

门

来源

毫米

分钟。

马克斯。

4.45

4.7

1.02

0.36

0.51

0.36

0.76

0.36

0.51

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.44

4.7

3.30

3.81

12.70

1.150

1.390

2.42

2.66

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

-Continuous

- 非重复（ TP

≦

50us)

漏电流

-Continuous

-Pulsed

功耗

- T

=25

-Derate 25以上

符号

GSM

Rθ

TJ ， TSTG

评级

±20

±40

200

500

0.35

2.8

357

-55~+150

300

单位

毫瓦/

热阻，结到环境

工作结存储温度范围

马克斯。无铅焊接温度的目的，

16"分之1的情况下，持续10秒

http://www.SeCoSGmbH.com/

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01君2002年修订版A

第1页

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