绝对最大额定值
(1)
参数
输入电压
控制电压
功耗
ESD额定值
存储温度范围
引线温度（焊接， 5秒）
封装热阻
符号
V
IN
V
CNTL
P
D
--
T
S
T
领导
Θ
JC
价值
6
6
内部限制
3
-65到150
260
28
单位
V
V
--
KV
°C
°C
摄氏度/ W
操作评级
(2)
参数
输入电压
控制电压
环境温度
结温
符号
V
IN
V
CNTL
T
A
T
J
价值
2.5〜 1.5
±3%
5.0或3.3
±5%
-40至+85
-40到+125
单位
V
V
℃
℃
电气特性
V
IN
=2.5V/1.8V/1.5V, V
CNTL
=3.3V, V
REFEN
= 1.25V / 0.9V / 0.75V ，C
OUT
= 10μF （陶瓷） ） ，T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
输入
V
CNTL
工作电流
待机电流
输出（ DDR / DDR II / DDR III ）
输出失调电压
(3)
负载调整率
(4)
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CNTL
I
STBY
V
OS
ΔV
负载
I
OUT
=0A
V
REFEN
< 0.2V （关机） ，R
负载
= 180Ω
--
--
-20
-20
1
50
--
--
2.5
90
+20
+20
mA
μA
mV
I
OUT
= 0A
I
OUT
= +2A
I
OUT
= -2A
保护
电流限制
热关断温度
热关断迟滞
REFEN关闭
关断阈值
I
LIM
T
SD
ΔT
SD
V
IH
V
IL
3.3V
≤
V
CNTL
≤
5V
3.3V
≤
V
CNTL
≤
5V
2.2
--
--
0.6
--
--
170
35
--
--
--
--
--
--
0.2
A
℃
启用
关闭
V
注1 ：
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
注2 ：
V
OS
是电压测量定义为V偏移
OUT
从V减去
REFEN
注3 ：
V
OS
是电压测量定义为V偏移
OUT
从V减去
REFEN
.
注4 ：
调节是通过使用一个5ms的电流脉冲，测定在恒定的结温。器件的测试负载
调节负载范围从0A至2A 。
修订版2008年12月4日
所有内容如有更改，恕不另行通知
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