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    K4S561632E-TC75 参数 Datasheet PDF下载

    K4S561632E-TC75图片预览
    型号： K4S561632E-TC75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Mb的电子芯片SDRAM规格 [256Mb E-die SDRAM Specification]
    分类和应用： 电子动态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 198 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第11页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第12页浏览型号K4S561632E-TC75的Datasheet PDF文件第13页  
    SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ， X16 ）
    直流特性（ X16 ）
    （推荐的工作条件，除非另有说明，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    参数
    工作电流
    （一银行活动）
    预充电待机电流在
    掉电模式
    符号
    突发长度= 1
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    I
    O
    = 0毫安
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    = 10ns的
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CS
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ，T
    CC
    = 10ns的
    输入信号时为20ns一次改变
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    输入信号是稳定的
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    = 10ns的
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CS
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ，T
    CC
    = 10ns的
    输入信号时为20ns一次改变
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟） ， CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =
    ∞
    输入信号是稳定的
    I
    O
    = 0毫安
    第一阵
    4banks激活。
    t
    CCD
    = 2CLKs
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    CKE
    ≤
    0.2V
    C
    L
    测试条件
    CMOS SDRAM
    VERSION
    60
    140
    2
    2
    20
    10
    6
    6
    25
    25
    75
    90
    单位注
    I
    CC1
    I
    CC2
    P
    I
    CC2
    PS
    I
    CC2
    N
    I
    CC2
    NS
    I
    CC3
    P
    I
    CC3
    PS
    I
    CC3
    N
    I
    CC3
    NS
    mA
    1
    mA
    mA
    预充电待机电流在
    非掉电模式
    在活动待机电流
    掉电模式
    在活动待机电流
    非掉电模式
    （一银行活动）
    mA
    mA
    mA
    工作电流
    （突发模式）
    刷新当前
    自刷新电流
    I
    CC4
    170
    130
    mA
    1
    I
    CC5
    I
    CC6
    200
    3
    1.5
    180
    mA
    mA
    mA
    2
    3
    4
    注意事项：
    1.测量与产出开放。
    2.刷新周期是64毫秒。
    3. K4S561632E -TC
    4. K4S561632E -TL
    5.除非另有注意到，输入摆幅级CMOS （V
    IH
    /V
    IL
    =V
    DDQ
    /V
    SSQ
    ).
    修订版1.5 2004年5月

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