SDRAM 256Mb的电子芯片( X4,X8 , X16 )
直流特性( X4,X8 )
(推荐的工作条件,除非另有说明,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
工作电流
(一银行活动)
预充电待机电流在
掉电模式
预充电待机电流在
非掉电模式
在活动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
(一银行活动)
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE
≥
V
IH
(分钟) , CS
≥
V
IH
(分钟) ,T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
测试条件
CMOS SDRAM
VERSION
75
80
2
2
20
单位
记
I
CC1
I
CC2
P
mA
1
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
=
∞
I
CC2
N
mA
CKE
≥
V
IH
(分钟) , CLK
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
= 10ns的
CKE
≥
V
IH
(分钟) , CS
≥
V
IH
(分钟) ,T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
(分钟) , CLK
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4banks激活。
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
(分钟)
CKE
≤
0.2V
C
L
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
(最大值),叔
CC
=
∞
I
CC3
N
I
CC3
NS
mA
10
6
6
25
25
mA
mA
mA
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
100
mA
1
I
CC5
I
CC6
180
3
1.5
mA
mA
mA
2
3
4
注意事项:
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S5604 ( 08 ) 32E -TC
4. K4S5604 (08) 32E -TL
5.除非另有注意到,输入摆幅级CMOS (V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
修订版1.5 2004年5月