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    K9F1216U0A-DIB00 参数 Datasheet PDF下载

    K9F1216U0A-DIB00图片预览
    型号： K9F1216U0A-DIB00
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Flash, 32MX16, 30ns, PBGA63, TBGA-63]
    分类和应用： 内存集成电路
    文件页数/大小： 47 页 / 822 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第26页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第27页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第28页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第29页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第31页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第32页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第33页浏览型号K9F1216U0A-DIB00的Datasheet PDF文件第34页  
    K9F1208Q0A K9F1216Q0A  
    K9F1208D0A K9F1216D0A  
    K9F1208U0A K9F1216U0A  
    FLASH MEMORY  
    Multi-Plane Block Erase Operation  
    CLE  
    CE  
    tWC  
    WE  
    ALE  
    RE  
    tBERS  
    tWB  
    60h  
    A9 ~ A16 A17 ~ A24  
    DOh  
    71h  
    I/O 0  
    A25  
    I/OX  
    R/B  
    Page(Row)  
    Address  
    Busy  
    Block Erase Setup Command  
    Erase Confirm Command  
    Read Multi-Plane  
    Status Command  
    Max. 4 times repeatable  
    * For Multi-Plane Erase operation, Block address to be erased should be repeated before "D0H" command.  
    Ex.) Four-Plane Block Erase Operation  
    R/B  
    tBERS  
    A9 ~ A25  
    D0h  
    60h  
    A9 ~ A25  
    A9 ~ A25  
    71h  
    60h  
    60h  
    Address  
    A9 ~ A25  
    60h  
    I/O0~7  
    29  

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