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    K5N1229ACD-BQ12 参数 Datasheet PDF下载

    K5N1229ACD-BQ12图片预览
    型号： K5N1229ACD-BQ12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512MB （ 32M ×16）多路复用连拍，多行SLC NOR闪存 [512Mb (32M x16) Muxed Burst, Multi Bank SLC NOR Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 128 页 / 2587 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第11页  
    K5N1229ACD-BQ12
    datasheet
    K5
    N
    12
    29
    A
    C
    D - B
    Q
    12
    Rev. 1.0
    MCP Memory
    5. Ordering Information
    Samsung MCP Memory
    2Chip MCP
    UtRAM2 Access Time
    12
    : 108MHz
    Device Type
    N
    : Muxed NOR + Muxed UtRAM2
    Flash Access Time
    Q
    : 108MHz
    NOR Flash Density
    12
    : 512Mb, x16
    Package
    B
    : FBGA(HF, OSP LF)
    Version
    D
    : 5rd Generation
    Block Architecture
    C
    :Uniform Boot Block
    UtRAM2 Density, (Organization)
    29
    : 128Mb, x16,(Ut2)
    Operating Voltage
    A
    : 1.8V/1.8V
    -7-

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