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    K5N1229ACD-BQ12 参数 Datasheet PDF下载

    K5N1229ACD-BQ12图片预览
    型号： K5N1229ACD-BQ12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512MB （ 32M ×16）多路复用连拍，多行SLC NOR闪存 [512Mb (32M x16) Muxed Burst, Multi Bank SLC NOR Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 128 页 / 2587 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第12页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第13页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第14页浏览型号K5N1229ACD-BQ12的Datasheet PDF文件第15页  
    K5N1229ACD-BQ12
    datasheet
    Bank 0
    Address
    X
    Dec
    Bank 0
    Cell Array
    Rev. 1.0
    MCP Memory
    1.0 FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
    Vcc
    Vss
    Vpp
    CLK
    CE
    OE
    WE
    WP
    RESET
    RDY
    AVD
    I/O
    Interface
    &
    Bank
    Control
    Bank 1
    Address
    X
    Dec
    Latch &
    Control
    Y Dec
    Y Dec
    Bank 1
    Cell Array
    Latch &
    Control
    Bank 15
    Address
    X
    Dec
    Bank 15
    Cell Array
    Y Dec
    A16~A24
    A/DQ0~
    A/DQ15
    Erase
    Control
    Block
    Inform
    Program
    Control
    Latch &
    Control
    High
    Voltage
    Gen.
    [Table 1] PRODUCT LINE-UP
    Mode
    Speed Option
    Max. Initial Access Time (t
    IAA,
    ns)
    Max. Burst Access Time (t
    BA,
    ns)
    Max. Access Time (t
    AA,
    ns)
    Asynchronous
    Max. CE Access Time (t
    CE,
    ns)
    Max. OE Access Time (t
    OE,
    ns)
    1C
    (66MHz)
    95
    11
    100
    100
    15
    1D
    (83MHz)
    95
    9
    100
    100
    15
    1E
    (108MHz)
    95
    7
    100
    100
    15
    1F
    (133MHz)
    95
    6
    100
    100
    15
    Synchronous/Burst
    V
    CC
    =1.7V
    -1.95V
    - 11 -

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