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    K4E640412E 参数 Datasheet PDF下载

    K4E640412E图片预览
    型号： K4E640412E
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    内容描述： 16M X 4位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出 [16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out]
    分类和应用： 存储
    文件页数/大小： 21 页 / 194 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第13页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第14页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第15页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第16页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第17页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第19页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第20页浏览型号K4E640412E的Datasheet PDF文件第21页  
    Industrial Temperature  
    K4E660412E,K4E640412E  
    CMOS DRAM  
    HIDDEN REFRESH CYCLE ( READ )  
    tRC  
    tRC  
    tRP  
    tRP  
    tRAS  
    tRAS  
    VIH -  
    RAS  
    VIL -  
    tCRP  
    tRCD  
    tRSH  
    tCHR  
    VIH -  
    VIL -  
    CAS  
    tRAD  
    tRAL  
    tCAH  
    COLUMN  
    tASR  
    tRAH  
    tASC  
    tRCS  
    VIH -  
    VIL -  
    ROW  
    ADDRESS  
    A
    W
    ADDRESS  
    tWRH  
    VIH -  
    VIL -  
    tAA  
    VIH -  
    VIL -  
    tOEA  
    tOLZ  
    OE  
    tCEZ  
    tCAC  
    tREZ  
    tWEZ  
    tCLZ  
    tRAC  
    DQ0 ~ DQ3(7)  
    VOH -  
    tOEZ  
    DATA-OUT  
    OPEN  
    VOL -  
    Don¢t care  
    Undefined  
    * In Hidden refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, whenCAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.  

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