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K4E640412E 参数 Datasheet PDF下载

K4E640412E图片预览
型号: K4E640412E
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内容描述: 16M X 4位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出 [16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 21 页 / 194 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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Industrial Temperature
K4E660412E,K4E640412E
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don
t care
D
OUT
= OPEN
t
RC
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CMOS DRAM
t
R P
t
RAS
t
CRP
t
RPC
t
CRP
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
ASR
A
V
IH
-
V
IL
-
t
RAH
ROW
ADDR
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
t care
t
RP
RAS
V
IH
-
V
IL
-
t
R C
t
RAS
t
RP
t
RPC
t
CP
t
CSR
t
RPC
t
CHR
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
W R P
W
V
IH
-
V
IL
-
t
WRH
DQ0 ~ DQ3(7)
V
O H
-
V
OL
-
t
C E Z
OPEN
Don′t care
Undefined