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    K4E170412D 参数 Datasheet PDF下载

    K4E170412D图片预览
    型号： K4E170412D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M X 4Bit的CMOS动态随机存储器与扩充数据输出 [4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out]
    分类和应用： 存储
    文件页数/大小： 21 页 / 256 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第12页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第13页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第14页浏览型号K4E170412D的Datasheet PDF文件第15页  
    K4E170411D, K4E160411D
    K4E170412D, K4E160412D
    WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
    NOTE : D
    OUT
    = OPEN
    CMOS DRAM
    t
    RC
    t
    RAS
    RAS
    V
    IH
    -
    V
    IL
    -
    t
    RP
    t
    CRP
    CAS
    V
    IH
    -
    V
    IL
    -
    t
    CSH
    t
    RCD
    t
    RSH
    t
    CAS
    t
    CRP
    t
    RAD
    t
    RAL
    t
    ASR
    A
    V
    IH
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    V
    IL
    -
    t
    RAH
    t
    ASC
    t
    CAH
    COLUMN
    ADDRESS
    ROW
    ADDRESS
    t
    CWL
    t
    RWL
    W
    V
    IH
    -
    V
    IL
    -
    t
    WP
    OE
    V
    IH
    -
    V
    IL
    -
    t
    OED
    t
    DS
    t
    OEH
    t
    DH
    DATA-IN
    DQ0 ~ DQ3(7)
    V
    IH
    -
    V
    IL
    -
    Don′t care
    Undefined

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