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STU9916L 参数 Datasheet PDF下载

STU9916L图片预览
型号: STU9916L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 899 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D9916L
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 15A
最小典型最大单位
1
1.3
V
C
漏源二极管的特性
b
笔记
a.Surface安装在FR4板,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
20
V
GS
=10~4V
25
20
16
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
12
V
GS
=3V
8
4
V
GS
=2V
0
0
2
4
6
8
10
12
15
TJ = 125℃
10
25 C
-55 C
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
1200
1000
2.2
1.8
图2.传输特性
V
GS
=10V
I
D
=20A
C,电容(pF )
800
600
400
200
0
CRSS
0
5
10
15
20
R
DS ( ON)
,导通电阻
西塞
1.4
1.0
0.6
0.2
0
科斯
(归一化)
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V
DS
,漏极至源极电压( V)
TJ ,结温( C)
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
3