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    STU9916L 参数 Datasheet PDF下载

    STU9916L图片预览
    型号： STU9916L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 899 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STU9916L的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D9916L
    SAMHOP微电子股份有限公司
    初步Mar.25 2004年
    N沟道增强型网络场效晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    30V
    特点
    ( m
    Ω
    ）最大
    I
    D
    25A
    R
    DS （ ON）
    超级高密度电池设计低R
    DS （上
    ).
    30@ V
    GS
    = 10V
    40@ V
    GS
    = 4.5V
    坚固可靠。
    的TO- 252和TO- 251封装。
    D
    D
    G
    S
    G
    D
    S
    G
    SDU系列
    TO-252AA(D-PAK)
    SDD系列
    TO-251(l-PAK)
    S
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    a
    @T
    A
    = 25 C
    b
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    a
    最大功率耗散
    a
    工作结存储
    温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    30
    20
    25
    63
    20
    50
    -55至175
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    C
    热特性
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    1
    R
    JC
    R
    JA
    3
    50
    C / W
    C / W

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