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STU428S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STU428S
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式F屈服ê ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 195 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U / D428S
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 6A
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
最小值典型值
C
最大单位
40
1
10
1
1.7
8
10
30
26
1505
220
150
0.3
23
19
85
27
28
12.5
3
6
3
10
13
V
uA
uA
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
b
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
栅极电阻
V
DS
=20V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= 15V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10V
R
GE ñ
= 6欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
=10A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
=10A,V
GS
=4.5V
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15V ,我
D
= 10A
V
GS
=10V
2
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
b
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC