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型号: STU428S
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式F屈服ê ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 195 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U / D428S
S amHop微电子Ç ORP 。
Mar.8,2007
NC hannel逻辑E级nhancement模式域E ffect晶体管
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
V
DS S
40V
˚F ê乌尔(E S)
S UPER高密度电池设计低R
DS (ON
).
I
D
50A
R
DS ( ON) (M
)
牛逼YP
ı
8 @ V
的s
= 10V
10 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
(E S) ð P rotected 。
D
D
G
S
G
D
G
S
S TU性S E ř IE S
TO- 252AA (D -P AK )
的TD性S E ř IE S
的TO- 251 (1- P AK)的
S
ABS OLUTE最大R ATINGS ( TA = 25 C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续@T
C
=25 C
a
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
20
50
100
20
50
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
C
工作和存储温度范围
热特性
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
R
JC
R
JA
3
50
C / W
C / W
1