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STU413S 参数 Datasheet PDF下载

STU413S图片预览
型号: STU413S
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内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 250 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D413S
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
4
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
=-32V , V
GS
=0V
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
-40
1
±10
uA
uA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-9.5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-7.5A
V
DS
= -10V ,我
D
=-9.5A
-1
-1.8
38
58
10
-3
48
78
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
895
138
67
14
14
54
10
14.5
7
2.1
3.4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-20V
I
D
=-1.0A
V
GS
=-10V
R
= 3.3欧姆
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,V
GS
=-10V
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V,I
D
=-9.5A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性和最大额定值
Is
最大连续漏源正向电流
V
SD
二极管的正向电压
b
-2.0
-0.77
-1.3
A
V
V
GS
=0V,I
S
= -2.0A
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=0.5mH,V
DD
= 20V (见Figure13 )
Aug,08,2008
2
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