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型号: STU413S
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内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 250 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D413S
S A mHop微电子Ç ORP 。
版本1.0
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
产品概述
V
DSS
-40V
特点
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
Suface贴装封装。
ESD保护。
I
D
-19A
R
DS ( ON)
(m
)最大
48
@
VGS=10V
78
@
VGS=4.5V
G
S
G
D
S
STU系列
TO - 252AA (D - PAK )
STD系列
TO - 251 ( I - PAK )
绝对最大额定值(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
a
极限
-40
±20
-19
-15
-58
16
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=70°C
d
-Pulsed
b
事务所脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
T
C
=25°C
T
C
=70°C
32
20
-55到150
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
热阻,结到外壳
a
R
JA
热阻,结到环境
4
a
° C / W
° C / W
50
详细信息如有变更,恕不另行通知。
Aug,08,2008
1
www.samhop.com.tw