S T U407D
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
120
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=-6A
-is ，S环境允许的漏电流（ A）
100
125 C
10.0
25 C
R
DS （ ON）
(m
W
)
80
60
40
20
0
75 C
25 C
125 C
75 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V
的s
，G ate- S环境允许的电压（V ）
-V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
200
160
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
P奥尔（ W）
T
J（下最大值） = 175℃
T
A
=25 C
120
80
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
˚F igure 9. S英格尔P ULS ê P奥尔ř阿婷
Ĵ恩膏到C为e
8
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
