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    STU407D 参数 Datasheet PDF下载

    STU407D图片预览
    型号： STU407D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 879 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STU407D的Datasheet PDF文件第9页  
    S T U407D
    P沟道电气特性（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    5
    S ymbol
    BV
    DS S
    I
    DS S
    I
    GS S
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    b
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250uA
    V
    DS
    = -32V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250uA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -6A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -4A
    V
    DS
    = -5V, V
    GS
    = -10V
    V
    DS
    = -10V ，我
    D
    = -6A
    最小值典型值
    C
    最大单位
    -40
    -1
    10
    -1
    -1.6
    40
    50
    -20
    9
    920
    135
    75
    3.5
    12
    13
    60
    25
    15
    7.2
    2
    4.0
    -3
    48
    65
    V
    uA
    uA
    V
    兆欧
    兆欧
    关煤焦ACTE R是TICS
    漏-S环境允许的击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    对煤焦ACTE R是TICS
    a
    栅极阈值电压
    漏-S环境允许在-S大老ř esistance
    在-S大老漏电流
    正向跨导
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    动态煤焦ACTE R是TICS
    输入电容
    输出电容
    ř EVERSE传输电容
    栅极电阻
    C
    为s
    C
    OS s
    C
    RSS
    Rg
    b
    V
    DS
    =-20V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 0V ， F = 1.0MH
    Z
    V
    DD
    = -20V
    I
    D
    = -3A
    V
    GS
    = -10V
    R
    GE ñ
    = 3欧姆
    V
    DS
    = -20V ，我
    D
    =-6A,V
    GS
    =-10V
    V
    DS
    = -20V ，我
    D
    =-6A,V
    GS
    =-4.5V
    欧姆
    S迷惑煤焦ACTE R是TICS
    导通延迟时间
    ř ISE时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    门-S环境允许充电
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = -20V ，我
    D
    = -6 A
    V
    GS
    =-10V
    3

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