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STU312D 参数 Datasheet PDF下载

STU312D图片预览
型号: STU312D
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 177 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U312D
N沟道电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
b
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= 24V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8A
V
DS
= 5V, V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V ,我
D
= 10A
最小值典型值
C
最大单位
30
1
V
uA
100微安
1
1.8
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
a
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老ř esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
3
24
36
V
兆欧
兆欧
18
24
20
15
640
180
110
0.5
13
12
40
7
13
6.8
1.5
3.5
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
b
输入电容
输出电容
ř EVERSE传输电容
栅极电阻
V
DS
=15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
V
DD
= 15V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10V
R
GE ñ
= 6欧姆
V
DS
= 15V ,我
D
=20A,V
GS
=10V
V
DS
= 15V ,我
D
=20A,V
GS
=4.5V
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 15V ,我
D
= 20 A
V
GS
=10V
2
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ř ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC