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STU312D 参数 Datasheet PDF下载

STU312D图片预览
型号: STU312D
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 177 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U312D
S amHop微电子Ç ORP 。
2008年10月8日
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
( N-C hannel )
V
DS S
30V
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
(P - C hannel )
V
DS S
-30V
I
D
18A
R
DS ( ON) (M
)
最大
I
D
-14A
R
DS ( ON) (M
)
最大
24 @ V
的s
= 10V
36 @ V
的s
= 4.5V
D
1
34 @ V
的s
= -10V
54 @ V
的s
= -4.5V
D
2
D1/D2
G
1
G
2
S1
G1
S2
G2
TO-252-4L
S
1
N沟道
S
2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous @锝
-P ulsed
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
TC = 25℃
P
D
TC = 70℃
I
D
N-C hannel P-C hannel
30
24
18
15
50
10
11
7.7
-30
24
-14
-12
-50
-6
单位
V
V
A
A
A
A
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度ř法兰
W
C
T
J
, T
s TG
-55至175
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到C的酶
热ř esistance ,结到环境
R
JC
R
JA
1
13.6
120
C / W
C / W