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STU1855PLS 参数 Datasheet PDF下载

STU1855PLS图片预览
型号: STU1855PLS
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内容描述: P沟道é nhancement模式场效应晶体管 [P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 703 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU / D1855PLS
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
5
符号
b
条件
最小典型最大单位
-0.9 -1.3
V
C
漏源二极管的特性
二极管的正向电压
V
GS
= 0V ,是= -10A
V
SD
笔记
a.Surface安装在FR4板,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
20
20
-V
GS
=10V
-V
GS
=4V
15
16
-V
GS
=8V
-I
D
,漏电流( A)
-I
D
,漏电流( A)
-V
GS
=4.5V
12
10
8
4
0
5
TJ = 125℃
1
0
25 C
-55 C
2.4
3.2
4.0
4.8
-V
GS
=3V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.8
1.6
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
1200
1000
西塞
2.2
图2.传输特性
V
GS
=-10V
I
D
=-10A
800
600
400
200
0
R
DS ( ON)
,导通电阻
科斯
10
15
20
25
30
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0
C,电容(pF )
CRSS
0
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
TJ ,结温( C)
图3.电容
图4.导通电阻变化与
温度
3